天眼查显现，上海积塔半导体有限公司“根据TDDB优化的MOSFET器材及其制备办法”专利发布，请求发布日为2024年8月9日，请求发布号为CN118471899A。

  本发明供给了一种根据TDDB优化的MOSFET器材及其制备办法。本发明经过两次多晶硅成长刻蚀工艺，使得所构成的栅氧化层以及栅极的膜层厚度满意MOSFET器材的相应工艺厚度要求的一起，所构成的浅沟槽阻隔结构的顶面高于半导体衬底的外表，浅沟槽阻隔结构的侧壁与栅氧化层相触摸，可避开在后续刻蚀第二多晶硅层进程中对浅沟槽阻隔结构顶角区域处的栅氧化层的损坏，完成对浅沟槽阻隔结构顶角区域处的栅氧化层的维护，添加浅沟槽阻隔结构顶角区域处的栅氧化层工艺厚度，终究优化TDDB的可靠性，使得MOSFET器材具有更高的击穿电压以及更长的可靠性寿数。

  积塔半导体“根据BCD工艺的全阻隔LDNMOS的制造的进程及芯片”专利获授权

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